高级搜索>>
关闭
产品/服务
企业
新闻荟萃
行业资讯
知识库
供求信息
配置默认搜索类别。
传东芝新技术将nand闪存寿命提高百倍
  发布时间:2008-01-30
   据外电报道,硬盘厂商东芝显然找到了解决固态硬盘最头疼的问题的答案。nand闪存芯片有写入次数的限制,因此在使用寿命方面明显低于机电硬盘。但是,据nikkei.net网站报道,东芝有一项内部设计能够把nand闪存的写入覆盖次数提高100倍。

  东芝采用的这种设计是把数据写入dram内存,而不是直接写入到nand闪存,特别是对于目前经常写入到硬盘的那些数据。dram内存中存储的数据在关机前将被传送到nand闪存。

未获得期望结果?请帮助我们改进服务!