据国外媒体报道，一家中国台湾研究机构称，它将在三年内推出相变内存（pram)，另一种与dram内存竞争的mram技术（磁性随机储存）也将在2008年底进入实用阶段。

    与六家中国台湾芯片制造商合作的工业技术研究院（itri)在两年前开始开发相变内存技术。到目前为止，该合作集团已经得到了相关新技术的50项专利，并生产了芯片原型，同时还完成了晶圆切割。itri与芯片制造商的合作关系将在明年6月结束，但有可能再次结成新的合作。

    pram内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但pram写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。

    itri可能不是第一家销售pram内存产品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512mb新内存原型，并有望在明年早些时候上市销售。但itri其他公司有可能以更大的内存容量和不同功能来击败三星。

    其他芯片制造商也在积极开发相变内存，其中有英特尔公司、ibm公司、qimonda公司、意法半导体公司、hynix半导体公司和ovonyx。

    台积电和itri也在开发磁性随机储存内存技术（mram)，双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售mram。（编辑孙杰）