日本设计公司genusion透露最新闪存技术
发布时间：2008-02-10
日本无晶圆芯片设计公司genusioninc.日前透露其已将新型4兆闪存技术用于生产。
据悉，genusion一直开发其所谓的“b4-flash”技术，该技术利用公司专有的b4-he（backbiasassistedband-to-bandtunnelinginducedhotelectron）注入技术来进行编程。
该技术解决了一个编程速度的问题。公司称，这项技术改进了编程速度，这是目前闪存中最重要的问题之一。
目前闪存编程速度在1－10兆比特/秒，相当于硬盘的十分之一。根据公司的说法，b4-he技术可以实现100兆比特/秒的编程速度。
该公司还称其已使用目前的闪存工艺技术试产了4兆测试芯片，预计2009年将正式投入生产。
据悉，本周该公司将在ieee非易失半导体存储研讨会上展示其最新的成果。