ramtron扩展其非易失性状态保存器系列 推出全新4
来源：未知 作者：未知 发布时间：2008-02-03
全球领先的非易失性铁电存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列，推出4位状态保存器，以4位 f-ram技术为基础，无需耗电即可保存逻辑状态，并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内，这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性，以及极高的耐用性。
fm111x 4位状态保存器目前有三款产品：即工作电压为5v的fm1110；以及工作电压为3v的fm1112 和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件，使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单，但在断电时可自动存储和保持逻辑状态，从而简化系统控制功能在各种应用中的设计，包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于.5μa的超低待机电流，因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用，如八进制锁存和非易失性计数器等。